德国IFM漫反射传感器O5H504型现货供应 光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础,把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体,可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应,如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应,如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应,如光电池等。 德国IFM漫反射传感器O5H504型现货供应 量程极长 精确的几何背景抑制 通过指导按钮灵敏度可调 坚固的外壳,适用于严苛的工业环境 可编程亮通/暗通模式 输出功能亮通和暗通模式; (可选) 开关量输出DC电压降zui大值 [V]2.5 开关量输出DC的持续电流负载 [mA]200 开关频率DC [Hz]1000 电气设计NPN 短路保护是 短路保护类型脉冲 过载保护是 监控范围 检测距离 [mm]50...1800; (白纸 200 x 200 mm 90 %反射) 白色物体的检测距离(6 %反射) [mm]50...1800 灰色物体的检测距离:(18 %反射) [mm]50...900 黑色物体的检测距离(6 %反射) [mm]50...600 检测距离可设是 光斑直径zui大值 [mm]50 光点尺寸参考检测距离 背景消隐可用是
O5G501 O5H205 O5E502 O5H504 O5P502 O5E501 O5H503 O5S501 O5P501 O5P203 O5H502 O5P202 O5G500 O5H501 O5P201 O5H201 O5S500 O5P500 O5E500 O5E200 O5S200 O5H500 O5H200 O5P200
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