NASON纳森传感器NES-3A3-0R/015HRAT直邮
NASON纳森传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。
压阻式
NASON纳森传感器压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。
热电阻
工作温度：-40°C至90°C
电源：9 VDC至28 VDC
电源电流：最大35mA
继电器输出：250 VAC / 220 VDC，最大10A
继电器类型：常开或常闭
媒体连接：1/4“NPT标准（其他选项请咨询工厂）
压力范围：高达10,000 psi
设定点和迟滞：工厂可编程
UL认可的组件
NASON纳森传感器NES电子压力开关数字技术为压力开关领域带来了全新的性能。NES采用坚固的不锈钢长寿命割台/隔膜，适用于O形圈和爬行器兼容性已成为过去的苛刻应用。
NES拥有正在申请的冗余电桥电路，适用于高冲击和高振动环境，非常适合无法停机的越野/移动液压应用！这些行业*与工厂可编程设定点和滞后相结合，可实现低成本的定制解决方案，并可在第二天发货。
NASON纳森传感器NES-3A3-0R/015HRAT直邮
NES-3A3-0R/015HRAT
NT100-03-B-V000-G-D00-4
NT40-03-B-V000-G-Q00-5
NT25-03-B-V000-G-Q00-2-X
XM-6C-2500R/HH332
SM-2C-5F/QCAU
CD-1C4-250J/HF
CD-1C2-25J/HF
L96201-BB2-S0005
SP-2A-60R/GG163
CJ-2C-16G/WL100
MM-60A-64R/8WL11
CJ-2C-16G/WL11
SM-2C-20F/QCATBT403
XM-11C-986F/HH
045641265FNC
CJ-2C2-10G/WLEP
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